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SRAM ECC功能以及應用中的注意事項

意法半導體PDSA ? 2021-08-13 16:36 ? 次閱讀

現代電子系統中,由于“軟”錯誤引起的系統故障比永久性硬件失效引起的系統故障要更多?!败洝卞e誤是指可以恢復的故障或者失效。這一類錯誤容易發生在寄存器,RAM等上面,由于受到電磁干擾或者封裝材料中的α粒子,宇宙射線等的影響而造成位值翻轉。針對這個問題,可以在硬件上加奇偶校驗,ECC電路來進行檢測。

STM32H7系列MCU的Flash,SRAM和CACHE都支持ECC的功能。在本文中,主要介紹SRAM ECC這部分功能以及應用中的注意事項。

RAMECC外設

在STM32H7系列MCU中,有一個叫RAMECC的外設,它是一個RAM ECC Monitor。RAMECC提供了一個接口給應用程序來檢測當前RAM的ECC狀態,以及當發生ECC錯誤后執行相應的恢復或者報錯程序。

STM32H7的RAM ECC支持糾正單比特的錯誤和檢測雙比特的錯誤。對于AXI SRAM和TCM RAM,每64位數據附加8位ECC碼;其他的32位總線的SRAM,每32位數據附加7位ECC碼。

在對SRAM進行寫操作的時候,硬件自動計算并保存ECC的值,在對SRAM進行讀操作或者非對齊的寫操作(讀-改-寫)的時候會自動進行校驗,并且出錯的地址和數據可以通過寄存器讀出。

STM32H7的RAM ECC功能的實現可以分成兩個部分:RAM ECC Controller和RAM ECC Monitor單元,如下圖所示。

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關于ECC Controller

STM32H7的SRAM分成AXI SRAM,SRAM1,SRAM2,SRAM3,SRAM4,數據TCM RAM,指令TCM RAM和備份SRAM等幾塊。每個RAM塊分別對應一個ECC Controller。

ECC Controller始終處于使能狀態。它負責ECC代碼的計算存儲,比較和錯誤檢測,可以完成單比特錯誤糾正和雙比特錯誤檢測的功能。

關于ECC Monitor

STM32H7一共有三個ECC Monitor,各負責一個域。ECC Monitor接收來自ECC Controller的診斷事件,并根據寄存器的配置產生對應的中斷信號。

ECC Controller與ECC Monitor之間的映射關系見下圖。例如D1的RAMECC Monitor單元,一共有5個通道,每個通道對應一個SRAM塊的ECC controller。每個通道都有自己的一組寄存器,圖中的Address offset就是寄存器組的偏移地址。如果要打開AXI SRAM的ECC Monitor單元,使得當檢測到AXI SRAM的ECC錯誤時產生對應的中斷,就需要操作AXI SRAM對應的寄存器組。

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FAR和FDR寄存器

RAMECC支持單比特ECC錯誤中斷,雙比特ECC錯誤中斷和非對齊寫操作(Byte Write)引起的ECC中斷。在RAMECC的IER和CR寄存器中可以分別配置和使能這些中斷。在SR寄存器中可以查看這些中斷的狀態。這幾個寄存器的操作都一目了然,這里想說明的是另外兩個寄存器:出錯地址寄存器FAR和出錯數據寄存器FDR。

使能了CR寄存器里的ECCELEN位后,當ECC錯誤(單比特/雙比特錯誤)發生后,出錯的地址和數據就會被鎖定到FAR和FDR寄存器里。

FAR寄存器里保存的是相對地址。實際出錯地址的計算公式如下:

實際的出錯地址= SRAM的起始地址 + FAR寄存器的值 * N(N=4或者8)。

FDR寄存器有兩個,對于64位總線的SRAM數據,FDRL寄存器保存低4字節的數據,FDRH保存高4字節的數據。對于32位總線的SRAM數據,數據保存在FDRL寄存器中,FDRH的值為0。

我們可以看下面兩個例子:

例子1:使能AXI-SRAM對應的Monitor功能(如何使能請參考STM32H7CUBE庫中的RAMECC_ErrorCount例程)。上電后AXI-SRAM先不初始化,然后直接進行讀操作就會觸發ECC錯誤。這時候我們在調試狀態下查看FAR和FDR的值,見下圖。

這里因為AXI-SRAM是64位總線接口,所以計算實際出錯地址時,N的值是8。

例子2:使能SRAM1(0X30000000)對應的Monitor功能。上電后不進行初始,然后直接進行讀操作就會觸發ECC錯誤。這時候我們在調試狀態下查看FAR和FDR的值,如下圖。

因為SRAM1是32位總線接口,所以這時N的值是4。

在應用中如何正確使用RAM ECC

在使用支持ECC的RAM時,一定要注意的是要對RAM進行初始化,否則就可能會報ECC錯誤。就像我們在上一節的實驗中做的那樣,通過不初始化的做法,我們可以模擬出ECC錯誤。在AN5342中給出了建議的初始化步驟。

對于單比特的ECC錯誤可以在讀出的過程中自動糾正,但僅僅只是讀出的數據是正確的,為了防止錯誤累積,導致從單比特的錯誤變成雙比特的錯誤,可以在檢測到單比特錯誤后,將正確的值寫回到SRAM中去。這里有兩種方式,一種如果原本SRAM中保存的值在Flash有備份,那么直接將Flash中的值再次寫到SRAM中去;或者利用前面提到的FAR和FDR寄存器將正確的值寫回SRAM中。

通過周期性的ECC檢測來主動發現SRAM的故障也是提高系統可靠性的方法。ECC檢測可以通過讀SRAM的值來進行。檢測不需要一次性完成,可以在系統空閑時,分段的對SRAM進行檢測。請參考AN5342了解更多的細節。

責任編輯:haq

原文標題:工程師筆記 | STM32H7 RAMECC功能及應用

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SN74HC273A 具有清零功能的八路 D 類觸發器

SN74ABT16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

'ABT16373A是16位透明D型鎖存器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位鎖存器或一個16位鎖存器。當鎖存使能(LE)輸入為高電平時,Q輸出跟隨數據(D)輸入。當LE變為低電平時,Q輸出鎖存在D輸入端設置的電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ABT16373A的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ABT16373A的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。 ...
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SN74ABT16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74ALVCH16820 具有雙路輸出和三態輸出的 3.3V 10 位觸發器

這個10位觸發器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 < p> SN74ALVCH16820的觸發器是邊沿觸發的D型觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,器件在Q輸出端提供真實數據。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將10個輸出放入正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \輸入不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯電平。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 數據輸入端的總線保持消除了對外部上拉/下拉電阻的需求 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護超過JESD 22 2000-V人體模型(...
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SN74ALVCH16820 具有雙路輸出和三態輸出的 3.3V 10 位觸發器

SN74ABT16374A 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'ABT16374A是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗而設計負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出采用在數據(D)輸入處設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ABT16374A的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ABT16374A的特點是在-40°C至85°C的溫度范圍內工作。 特性 ...
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SN74ABT16374A 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74AHCT16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

'AHCT16374器件是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對較低的電容而設計阻抗負載。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出取數據(D)輸入的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 為了確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 SN54AHCT16374的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74AHCT16374的工作溫度范圍為-40°C至85°C。   特性 德州儀器WidebusTM家庭成員 EPICTM(...
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SN74AHCT16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

CY74FCT162374T 具有三態輸出的 16 位邊沿觸發 D 類觸發器

CY74FCT16374T和CY74FCT162374T是16位D型寄存器,設計用作高速,低功耗總線應用中的緩沖寄存器。通過連接輸出使能(OE)和時鐘(CLK)輸入,這些器件可用作兩個獨立的8位寄存器或單個16位寄存器。流通式引腳排列和小型收縮包裝有助于簡化電路板布局。 使用Ioff為部分斷電應用完全指定此設備。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。 CY74FCT16374T非常適合驅動高電容負載和低阻抗背板。 CY74FCT162374T具有24 mA平衡輸出驅動器,輸出端帶有限流電阻。這減少了對外部終端電阻的需求,并提供最小的下沖和減少的接地反彈。 CY74FCT162374T非常適合驅動傳輸線。 特性 Ioff支持部分省電模式操作 邊沿速率控制電路用于顯著改善的噪聲特性 典型的輸出偏斜< 250 ps ESD&gt; 2000V TSSOP(19.6密耳間距)和SSOP(25密耳間距)封裝 工業溫度范圍-40°C至+ 85°C VCC= 5V±10% CY74FCT16374T特點: ...
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CY74FCT162374T 具有三態輸出的 16 位邊沿觸發 D 類觸發器

SN74ALVCH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

這個12位至24位多路復用D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16260用于必須將兩個獨立數據路徑復用到單個數據路徑或從單個數據路徑解復用的應用中。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。該器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許在A到B方向上進行存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 < p> SN74ALVCH16260的工...
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SN74ALVCH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ALVCH16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

這個16位邊沿觸發D型觸發器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16374特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。它可以用作兩個8位觸發器或一個16位觸發器。在時鐘(CLK)輸入的正跳變時,觸發器的Q輸出取數據(D)輸入的邏輯電平。 OE \可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 工作電壓范圍為1.65至3.6 V 最大tpd為4.2 ns,3.3 V ±24-mA輸出驅動在3.3 V 數據輸入...
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SN74ALVCH16374 具有三態輸出的 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74ALVCH16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

這個16位透明D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 SN74ALVCH16373特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。該器件可用作兩個8位鎖存器或一個16位鎖存器。當鎖存使能(LE)輸入為高電平時,Q輸出跟隨數據(D)輸入。當LE變為低電平時,Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將8個輸出置于正常狀態邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 為確保上電或斷電期間的高阻態,OE \應連接到VCC通過上拉電阻;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 有源總線保持電路將未使用或未驅動的輸入保持在有效的邏輯狀態。不建議在上拉電路中使用上拉或下拉電阻。 特性 德州儀器廣播公司的成員?系列 工作電壓范圍為1.65 V至3.6 V 最大tpd3.6 ns,3.3 V ...
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SN74ALVCH16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74LVCH16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

這個16位透明D型鎖存器設計用于1.65 V至3.6 VVCC操作。 特性 德州儀器寬帶總線系列成員 典型VOLP(輸出接地反彈) &lt; 0.8 V,VCC= 3.3 V,TA= 25°C 典型VOHV(輸出V < sub> OH Undershoot) &gt; 2 V在VCC= 3.3 V,TA= 25°C Ioff支持實時插入,部分 - 電源關閉模式和后驅動保護 支持混合模式信號操作(具有3.3VVCC的5V輸入和輸出電壓) < li>數據輸入端的總線保持消除了對外部上拉或下拉電阻的需求 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護超過JESD 22 < ul> 2000-V人體模型(A114-A) 200-V機型(A115-A) 參數 與其它產品相比 D 類鎖存器   Technology Family VCC (Min) (V) VCC (Max) (V) Bits (#) ...
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SN74LVCH16373A 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SN74ABTH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN54ABT16260和SN74ABTH16260是12位至24位多路復用D型鎖存器,用于必須復用兩條獨立數據路徑的應用中,或者從單個數據路徑中解復用。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。該器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許A-to-B方向的存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存狀態,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 ...
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SN74ABTH16260 具有三態輸出的 12 位至 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ABT162823A 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

這些18位總線接口觸發器具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現更寬的緩沖寄存器,I /O端口,帶奇偶校驗的雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162823A器件可用作兩個9位觸發器或一個18位觸發器。當時鐘使能(CLKEN)\輸入為低電平時,D型觸發器在時鐘的低到高轉換時輸入數據。將CLKEN \置為高電平會禁用時鐘緩沖器,從而鎖存輸出。將清零(CLR)\輸入設為低電平會使Q輸出變為低電平而與時鐘無關。 緩沖輸出使能(OE)\輸入將9個輸出置于正常邏輯狀態(高電平)或低電平)或高阻抗狀態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動器提供了驅動總線線路的能力,無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 輸出設計為源電流或吸收電流高達12 mA,包括等效的25- 串聯電阻,用于減少過沖和下沖。 這些器件完全符合熱插拔規定使用Ioff和上電3狀態的應用程序。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間,上電三態電路將輸出置...
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SN74ABT162823A 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

SN74ABTH162260 具有串聯阻尼電阻和三態輸出的 12 位到 24 位多路復用 D 類鎖存器

'ABTH162260是12位至24位多路復用D型鎖存器,用于兩個獨立數據路徑必須復用或復用的應用中。 ,單一數據路徑。典型應用包括在微處理器或總線接口應用中復用和/或解復用地址和數據信息。這些器件在存儲器交錯應用中也很有用。 三個12位I /O端口(A1-A12,1B1-1B12和2B1-2B12)可用于地址和/或數據傳輸。輸出使能(OE1B \,OE2B \和OEA \)輸入控制總線收發器功能。 OE1B \和OE2B \控制信號還允許A-to-B方向的存儲體控制。 可以使用內部存儲鎖存器存儲地址和/或數據信息。鎖存使能(LE1B,LE2B,LEA1B和LEA2B)輸入用于控制數據存儲。當鎖存使能輸入為高電平時,鎖存器是透明的。當鎖存使能輸入變為低電平時,輸入端的數據被鎖存并保持鎖存狀態,直到鎖存使能輸入返回高電平為止。 B端口輸出設計為吸收高達12 mA的電流,包括等效的25系列電阻,以減少過沖和下沖。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過...
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SN74ABTH162260 具有串聯阻尼電阻和三態輸出的 12 位到 24 位多路復用 D 類鎖存器

SN74ABT162841 具有三態輸出的 20 位總線接口 D 類鎖存器

這些20位透明D型鎖存器具有同相三態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作兩個10位鎖存器或一個20位鎖存器。鎖存使能(1LE或2LE)輸入為高電平時,相應的10位鎖存器的Q輸出跟隨數據(D)輸入。當LE變為低電平時,Q輸出鎖存在D輸入設置的電平。 緩沖輸出使能(10E或2OE)輸入可用于放置輸出。相應的10位鎖存器處于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。 輸出設計為吸收高達12 mA的電流,包括等效的25- 用于減少過沖和下沖的串聯電阻。 這些器件完全適用于使用I的熱插入應用關閉并啟動3狀態。 Ioff電路禁用輸出,防止在斷電時損壞通過器件的電流回流。上電和斷電期間,上電三態電路將輸出置于高阻態,從而防止驅動器沖突。 為確保上電或斷電期間的高阻態, OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 OE \不影響鎖存器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據...
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SN74ABT162841 具有三態輸出的 20 位總線接口 D 類鎖存器

SN74ALVTH16821 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 20 位總線接口觸發器

'ALVTH16821器件是20位總線接口觸發器,具有3態輸出,設計用于2.5 V或3.3 VVCC操作,但能夠為5 V系統環境提供TTL接口。 這些器件可用作兩個10位觸發器或一個20位觸發器。 20位觸發器是邊沿觸發的D型觸發器。在時鐘(CLK)的正跳變時,觸發器存儲在D輸入端設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將10個輸出置于正常邏輯狀態(高電平或低電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和1.2 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保1.2 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 SN54ALVTH16821的特點是可在-55°C至125°C的整個軍用溫度范圍內工作。 SN74ALVTH16821的工作溫度范圍為-40&de...
發表于 10-11 10:35 ? 64次 閱讀
SN74ALVTH16821 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 20 位總線接口觸發器

SN74ALVTH16374 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 16 位邊沿 D 類觸發器

'ALVTH16374器件是16位邊沿觸發D型觸發器,具有3態輸出,設計用于2.5V或3.3VV < sub> CC 操作,但能夠為5 V系統環境提供TTL接口。這些器件特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 這些器件可用作兩個8位觸發器或一個16位翻轉器。翻牌。在時鐘(CLK)的正跳變時,觸發器存儲在數據(D)輸入處設置的邏輯電平。 緩沖輸出使能(OE)輸入可用于將8個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE不影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 /p> 當VCC介于0和1.2 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保1.2 V以上的高阻態,OE應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 SN54ALVTH16374的特點是在-55°C至125°C的整個軍用溫度...
發表于 10-11 10:31 ? 79次 閱讀
SN74ALVTH16374 具有三態輸出的 2.5V/3.3V 16 位邊沿 D 類觸發器

SN74ABTH16823 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

這些18位觸發器具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現更寬的緩沖寄存器,I /O端口,帶奇偶校驗的雙向總線驅動器和工作寄存器。 'ABTH16823可用作兩個9位觸發器或一個18位觸發器。當時鐘使能(CLKEN \)輸入為低電平時,D型觸發器在時鐘的低到高轉換時輸入數據。將CLKEN \置為高電平會禁用時鐘緩沖器,鎖存輸出。將清零(CLR \)輸入置為低電平會使Q輸出變為低電平,與時鐘無關。 緩沖輸出使能(OE \)輸入可用于將9個輸出置于正常邏輯狀態(高或低邏輯電平)或高阻態。在高阻抗狀態下,輸出既不會加載也不會顯著驅動總線。高阻抗狀態和增加的驅動提供了驅動總線的能力,而無需接口或上拉組件。 OE \不會影響觸發器的內部操作。當輸出處于高阻態時,可以保留舊數據或輸入新數據。 當VCC介于0和2.1 V之間時,器件在上電或斷電期間處于高阻態。但是,為了確保2.1 V以上的高阻態,OE \應通過上拉電阻連接到VCC;電阻的最小值由驅動器的電流吸收能力決定。 提供有源總線保持電路,用于保持有效邏輯電平的未使用或浮動數據輸入。 ...
發表于 10-10 17:15 ? 166次 閱讀
SN74ABTH16823 具有三態輸出的 18 位總線接口觸發器

SN74AHCT16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器

SNxAHCT16373器件是16位透明D型鎖存器,具有3態輸出,專為驅動高電容或相對低阻抗負載而設計。它們特別適用于實現緩沖寄存器,I /O端口,雙向總線驅動器和工作寄存器。 特性 德州儀器Widebus™系列的成員 EPIC™(增強型高性能注入CMOS)工藝 輸入兼容TTL電壓 分布式VCC和GND引腳最大限度地提高高速 開關噪聲 流通式架構優化PCB布局 每個JESD的閂鎖性能超過250 mA 17 ESD保護每個MIL-STD超過2000 V- 883, 方法3015;使用機器型號超過200 V(C = 200 pF,R = 0) 封裝選項包括: 塑料收縮小外形(DL)封裝 < li>薄收縮小外形(DGG)封裝 薄超小外形(DGV)封裝 80-mil精細間距陶瓷扁平(WD)封裝 25密耳的中心間距 參數 與其它產品相比 D 類鎖存器   ...
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SN74AHCT16373 具有三態輸出的 16 位透明 D 類鎖存器
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